总的来说，第四代光刻机技术指标，是第三代EUV的二十倍左右。

这就好比马车和火车的迭代，差距是全方位的，更短的波长只是一种表象，最惊人的创举在于，星辰科技突破了曝光功率的物理限制。

普通百姓们或许并不清楚，从第一代到第三代光刻机，其实都是大力出奇迹的结果。

就拿第三代EUV来说，极紫外光是超大功率的电老虎，250W的机台每工作一天，就要耗费高达三万度的电力，而且还需要一套体积惊人的散热系统辅助。

技术不够，功率来凑，一直是光刻机发展的逻辑，在星辰科技之前，没有任何企业真正解决过这个问题，工程师们的思路通常简单粗暴，他们想要更精确地曝光效果，就不断的提高功率，制造更大的光源发生器，打磨更精良的透镜。

星辰科技之所以能够彻底解决问题，是因为他们没有延续大功率光源过爆的传统，而是直接采用了激光。

从本质上来来说，星辰科技的第四代光刻系统，就是一套激光散射平台，这玩意儿不仅能刻蚀硅晶圆，工艺改良之后，甚至还能发展出激光武器。

当然，从激光刻蚀平台到激光武器之间，还有很长的科技树要攀爬，并不能够一蹴而就。

“是激光散射！华夏人用了激光技术！”

“零点五纳米的激光刻蚀？那岂不是意味着，星辰科技有能力把芯片的指标，推进到零点一纳米，甚至更低？”

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